Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix Inc. hat in einer Pressemitteilung die Entwicklung des weltweit ersten DDR4-RAM-Moduls mit 128 GByte Kapazität bekanntgegeben.

Das Modul, dass vor allem in Servern eingesetzt werden soll, kann bis zu 17 GByte pro Sekunde verarbeiten, heißt es in der Meldung weiter.
Die RAM-Einheit, die mit 20-nm-Technologie gefertigt wurde, läuft mit einer 1,2-Volt-Spannung. Die Massenproduktion soll im ersten Halbjahr 2015 beginnen.